Вчені з Фуданьського університету встановили новий світовий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, розробивши пристрій флеш-пам’яті з назвою PoX, який може зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд. Цей новий пристрій є енергонезалежним і виявився набагато швидшим за найшвидші сучасні енергозалежні технології, такі як SRAM і DRAM. Щоб порівняти, для цих технологій потрібно від 1 до 10 наносекунд для запису одного біта, тоді як одна пікосекунда – це тисяча наносекунд. Вчені застосовували алгоритми штучного інтелекту для оптимізації тестування та швидкого розвитку технології. Зараз команда вчених шукає шляхи для перетворення цього пристрою на комерційний продукт. Результати дослідження були опубліковані у журналі Nature.
